一种SiC结势垒肖特基二极管及其制作方法

摘要

本发明公开了一种SiC结势垒肖特基二极管及其制作方法，该SiC结势垒肖特基二极管包括：N⁺-SiC衬底；形成于该N⁺-SiC衬底之上的同型N^--SiC外延层；形成于该N^--SiC外延层上的肖特基金属接触；形成于该肖特基金属接触之下N^-区域中的P型区；形成于该肖特基金属接触边缘处的一个P^-型环，该P^-型环作为结终端延伸区域；形成于该P^-型环上的n个P⁺型环，n≥2；形成于该n个P⁺型环间的SiO₂钝化层；以及形成于该N⁺-SiC衬底背面的N型欧姆接触。本发明提出的SiC结势垒肖特基二极管，能够降低器件表面的峰值电场，有利于提高器件的击穿电压，且通过一次Al离子注入结合刻蚀的方法，避免了多次Al离子注入，器件制备工艺相对简单。

主权项

一种SiC结势垒肖特基二极管，其特征在于，该SiC结势垒肖特基二极管采用的是结终端延伸+场限环的复合结终端结构(JTE+FLR)，其中场限环(FLR)为P+注入区，是通过刻蚀工艺辅助形成的，该SiC结势垒肖特基二极管包括：N⁺‑SiC衬底；形成于该N⁺‑SiC衬底之上的同型N^‑‑SiC外延层；形成于该N^‑‑SiC外延层上的肖特基金属接触；形成于该肖特基金属接触之下N^‑区域中的P型区；形成于该肖特基金属接触边缘处的一个P^‑型环，该P^‑型环作为结终端延伸(JTE)区域；形成于该P^‑型环上的n个P⁺型环，n≥2；形成于该n个P⁺型环间的SiO₂钝化层；以及形成于该N⁺‑SiC衬底背面的N型欧姆接触。