| 发明名称 | 阵列基板及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种阵列基板及其制作方法。方法包括：在玻璃基板上生长多晶硅层；对多晶硅层两侧进行重掺杂并进行活化处理，形成重掺杂区；在重掺杂区上生长第一金属层，形成源/漏极；在多晶硅层上依次生长栅绝缘层和第二金属层，形成栅极，其中第二金属层材料为金属铝。通过以上方式，本发明改进活化工艺流程，能够减小产品金属线的RC延迟，实现产品的大尺寸化。 | ||
| 申请公布号 | CN105140238A | 申请公布日期 | 2015.12.09 |
| 申请号 | CN201510473674.8 | 申请日期 | 2015.08.05 |
| 申请人 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 发明人 | 王聪;杜鹏 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人 | 何青瓦 |
| 主权项 | 一种阵列基板的制作方法，其特征在于，所述方法包括：在玻璃基板上生长多晶硅层；对多晶硅层两侧进行重掺杂并进行活化处理，形成重掺杂区；在所述重掺杂区上生长第一金属层，形成源/漏极；在所述多晶硅层上依次生长栅绝缘层和第二金属层，形成栅极，其中所述第二金属层材料为金属铝。 | ||
| 地址 | 518006 广东省深圳市光明新区公明办事处塘家社区观光路汇业科技园综合楼1第一层B区 | ||