发明名称 |
一种薄膜太阳能电池及其制备方法 |
摘要 |
本申请公开了一种薄膜太阳能电池及其制备方法。本申请的薄膜太阳能电池,包括前电极层、半导体层、背电极层和隧穿整流层,隧穿整流层设于前电极层和半导体层间,或者设于半导体层和背电极层间,或者同时设于前电极层和半导体层间,以及半导体层和背电极层间;隧穿整流层为单层或多层结构,隧穿整流层的材质为金属氧化物、金属氮化物、金属硫化物、金属氟化物中的至少一种。本申请的薄膜太阳能电池,在前电极层和/或背电极层的表面设置隧穿整流层,利用隧穿整流层对电子进行整流,从而有效的避免了载流子的复合,提高太阳能电池的短路电流以及开路电压,进而提高光电转化效率。 |
申请公布号 |
CN105140319A |
申请公布日期 |
2015.12.09 |
申请号 |
CN201510351099.4 |
申请日期 |
2015.06.23 |
申请人 |
北京大学深圳研究生院 |
发明人 |
潘锋;梁军;林钦贤;苏彦涛;张明建;梅宗维;杨晓杨 |
分类号 |
H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;H01L51/42(2006.01)I;H01L51/48(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/0352(2006.01)I |
代理机构 |
深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 |
代理人 |
郭燕;彭家恩 |
主权项 |
一种薄膜太阳能电池,包括前电极层、半导体层和背电极层,其特征在于:还包括隧穿整流层,所述隧穿整流层设置于所述前电极层和半导体层之间,或者隧穿整流层设置于所述半导体层和背电极层之间,或者隧穿整流层同时设置于前电极层和半导体层之间,以及半导体层和背电极层之间;所述隧穿整流层为单层或多层结构,隧穿整流层的单层或多层结构中的每层的材质为金属氧化物、金属氮化物、金属硫化物、金属氟化物中的至少一种。 |
地址 |
518055 广东省深圳市南山区西丽深圳大学城北大园区 |