一种封装结构及再分布引线层的制作方法

摘要

本发明提供一种封装结构及再分布引线层的制作方法，所述方法包括以下步骤：S1：提供一载体，在所述载体表面形成粘胶层；S2：在所述粘胶层上粘贴至少一个芯片，其中，芯片正面朝上；S3：在所述载体表面形成覆盖所述芯片的塑封层；S4：采用激光刻蚀法在所述塑封层中形成若干与芯片电性引出所对应的通孔；S5：在所述通孔内及所述塑封层表面沉积金属，得到再分布引线层。本发明采用激光刻蚀法代替了通孔及金属线路的光刻、刻蚀步骤，大大降低了工艺复杂性。本发明无需通过平坦化或剥离粘胶层露出芯片正面及沉积钝化层，而是直接基于塑封层制作再分布引线层，不仅节省了材料、更为环保，还避免了芯片正面在平坦化或剥离粘胶层过程中损坏的风险。

主权项

一种再分布引线层的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：提供一载体，在所述载体表面形成粘胶层；S2：在所述粘胶层上粘贴至少一个芯片，其中，芯片正面朝上；S3：在所述载体表面形成覆盖所述芯片的塑封层；S4：采用激光刻蚀法在所述塑封层中形成若干与芯片电性引出所对应的通孔；S5：在所述通孔内及所述塑封层表面沉积金属，得到再分布引线层。