发明名称 |
消除高速背板杂讯的钻孔工艺 |
摘要 |
本发明实施例公开了一种消除高速背板杂讯的钻孔工艺包括如下步骤,一次钻孔步骤:在母板上钻小通孔,小通孔的直径D1=D-a1,其中D为成孔直径;二次钻孔步骤:在母板的上、下板面的小通孔的区域控深钻大孔,大孔的直径D2=D+a2,大孔的控深深度为H2=h+a3,其中h为信号层深度;沉铜电镀;三次钻孔步骤:采用直径为D3=D-a4的钻刀沿小通孔轴线钻孔,去除小通孔孔壁的覆铜。本发明的钻孔工艺可有效去除过孔stub,提高信号的传输质量,且该钻孔工艺可直接在一次压合的母板上进行,不需分别进行两次子板压合和母板压合,降低了板件对位难度;不需采用树脂塞孔,通孔可作为压接孔,提高了板件设计密度。 |
申请公布号 |
CN103298259B |
申请公布日期 |
2015.12.09 |
申请号 |
CN201210041060.9 |
申请日期 |
2012.02.22 |
申请人 |
深南电路有限公司 |
发明人 |
钱文鲲 |
分类号 |
H05K3/00(2006.01)I;H05K3/42(2006.01)I |
主分类号 |
H05K3/00(2006.01)I |
代理机构 |
深圳市维邦知识产权事务所 44269 |
代理人 |
黄莉 |
主权项 |
一种消除高速背板杂讯的钻孔工艺,其特征在于,包括如下步骤:一次钻孔步骤:在母板上钻小通孔,小通孔的直径D1=D‑a1,其中D为成孔直径,a1的取值范围为0.15mm~0.25mm;二次钻孔步骤:在母板的上、下板面的小通孔的区域控深钻大孔,大孔的直径D2=D+a2,大孔的控深深度为H2=h+a3,其中h为信号层深度,a2的取值范围为0.1mm~0.15mm,a3的取值范围为0.2mm~0.4mm;沉铜电镀步骤:依次采用化学沉积和电解的方法在孔壁上沉积形成第一铜层,铜厚为5~10μm;三次钻孔步骤:采用直径为D3=D‑a4的钻刀沿小通孔轴线钻孔,去除小通孔孔壁上的第一铜层,a4的取值范围为0.05mm~0.15mm。 |
地址 |
518000 广东省深圳市南山区侨城东路99号 |