| 发明名称 | 一种SiGe HBT工艺中的PIS电容器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种SiGe HBT工艺中的PIS电容器，包括：硅衬底、浅沟槽隔离、P阱、P型重掺杂区、氧化层、锗硅外延层、隔离侧墙、接触孔和金属线，所述硅衬底上具有浅沟槽隔离和P阱，所述P阱上具有P型重掺杂区，所述浅沟槽隔离与P阱、P型重掺杂区相邻，所述P型重掺杂区上具有氧化层，所述氧化层上具有锗硅外延层，所述隔离侧墙与氧化层、锗硅外延层相邻，所述P阱和锗硅外延层通过接触孔引出连接金属线作为电容器的两端。本发明还公开了所述PIS电容器的制作方法。本发明的PIS电容器及其制造方法打破SiGe HBT工艺中没有PIS电容相关结构的局限，使SiGe HBT工艺增加一种器件选择。 | ||
| 申请公布号 | CN103094361B | 申请公布日期 | 2015.12.09 |
| 申请号 | CN201110343136.9 | 申请日期 | 2011.11.03 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 刘冬华;段文婷;钱文生;胡君;石晶 |
| 分类号 | H01L29/94(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/94(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 丁纪铁 |
| 主权项 | 一种SiGe HBT工艺中的PIS电容器，其特征是，包括：硅衬底、浅沟槽隔离、P阱、P型重掺杂区、氧化层、锗硅外延层、隔离侧墙、接触孔和金属线，所述硅衬底上具有浅沟槽隔离和P阱，所述P阱上具有P型重掺杂区，所述浅沟槽隔离与P阱、P型重掺杂区相邻，所述P型重掺杂区上具有氧化层，所述氧化层上具有锗硅外延层，所述隔离侧墙与氧化层、锗硅外延层相邻，所述P阱和锗硅外延层通过接触孔引出连接金属线作为电容器的两端。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||