发明名称 |
用于制造太阳能电池上的导电接触部的方法及太阳能电池 |
摘要 |
本发明涉及一种用于制造在太阳能电池组上的由导电材料构成的接触部的方法,其中在选择性发射极的激光辐射步骤中,使用激光束的如下能量密度范围:在所述脉冲能量密度范围中,在受激光作用的区域中的薄膜电阻ρ<sub>SH</sub>与在所述受激光作用的区域之外的薄膜电阻相比被减小0%到30%之间,并且在受激光作用的区域与施加在所述受激光作用的区域上的用于形成导电接触部的导电材料之间的接触电阻率在0mΩcm<sup>2</sup>到10mΩcm<sup>2</sup>之间。 |
申请公布号 |
CN103339746B |
申请公布日期 |
2015.12.09 |
申请号 |
CN201180060814.9 |
申请日期 |
2011.12.15 |
申请人 |
肖特太阳能股份公司 |
发明人 |
H.纳格尔;W.施密特 |
分类号 |
H01L31/18(2006.01)I;H01L31/068(2012.01)I |
主分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
胡莉莉;刘春元 |
主权项 |
一种用于制造在太阳能电池组上的由导电材料构成的接触部的方法,其中在来自该太阳能电池组的至少一个太阳能电池中应用至少如下方法步骤:a)整面地、均匀地将掺杂物源施加到由晶体硅构成的衬底的至少一侧上,b)在第一温度步骤中在温度T<sub>1</sub>下在时间t<sub>1</sub>期间通过将掺杂物渗入到衬底中来构造磷硅酸盐玻璃,c)给衬底在要施加导电材料以构造导电接触部的区域中本地加载有激光辐射,其中磷硅酸盐玻璃在加载激光辐射之前或者之后被去除,以及d)根据给衬底加载的激光束的脉冲能量密度不仅在受激光作用的区域中而且在受激光作用的区域侧向外部测量在衬底的掺杂物源侧的表面区域中构造的薄膜电阻,e)将导电材料施加到受激光作用的区域上,f)根据给衬底加载的激光束的脉冲能量密度来测量在受激光作用的区域与施加在所述受激光作用的区域上的导电材料之间的接触电阻率,g)根据所测量的值确定激光束的脉冲能量密度范围,在所述脉冲能量密度范围中在受激光作用的区域中的薄膜电阻ρ<sub>SH</sub>与在受激光作用的区域之外的薄膜电阻相比被减小0%到30%之间,并且在受激光作用的区域与被施加在所述受激光作用的区域上的用于形成导电接触部的导电材料之间的接触电阻率在0mΩcm<sup>2</sup>到10mΩcm<sup>2</sup>之间,h)在执行至少方法步骤a)和b)之后在太阳能电池的要接触的区域中给来自该组的其余太阳能电池加载有激光辐射,所述激光辐射的脉冲能量密度在所发射的脉冲能量密度范围之内。 |
地址 |
德国美因茨 |