一种FINFET以及采用该FINFET的应用电路

摘要

本发明提供一种FINFET以及采用该FINFET的应用电路，所述FINFET包括源极、栅极、漏极和偏置极，所述源极和漏极形成于衬底上且在源极和漏极之间形成有沟道区域，在所述沟道区域的外侧形成有栅氧层，所述栅极和所述偏置极形成于所述栅氧层的外侧，并且所述栅极和所述偏置极间隔有一定的距离。与现有技术相比，本发明中的FINFET将现有技术中的栅极分成栅极和偏置极，并将偏置极连接至偏置电压，可以减小FINFET关断时漏极和源极之间的漏电流，同时还可以减小FINFET的开关功率损耗。

主权项

一种FINFET，其特征在于，其包括源极、栅极、漏极和偏置极，所述源极和漏极形成于衬底上且在源极和漏极之间形成有沟道区域，在所述沟道区域的外侧形成有栅氧层，所述栅极和所述偏置极形成于所述栅氧层的外侧，并且所述栅极和所述偏置极间隔有一定的距离，所述偏置极与固定的偏置电压相连，所述FINFET为P型FINFET，所述源极和漏极都为P+有源区，所述沟道区域为N型半导体材料，所述偏置极上的偏置电压大于所述源极上的电压；或者，所述FINFET为N型FINFET，所述源极和漏极都为N+有源区，所述沟道区域为P型半导体材料，所述偏置极上的偏置电压小于所述源极上的电压。