| 发明名称 | 在含硅层基材表面上形成石墨烯层的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种在含硅层(101)的基材(100)表面上形成石墨烯层(105)的方法，所述方法包括以下连续步骤：在所述硅层的自由表面上形成（1）碳化硅膜(103)；以及逐步加热该基材，直到至少该碳化硅膜的第一排原子中的硅升华，从而在所述碳化硅膜上形成石墨烯层。根据本发明，使用了自由表面为阶梯式的硅层。 | ||
| 申请公布号 | CN103842291B | 申请公布日期 | 2015.12.09 |
| 申请号 | CN201280047617.8 | 申请日期 | 2012.09.28 |
| 申请人 | 中央科学研究中心 | 发明人 | A·欧厄吉 |
| 分类号 | C01B31/04(2006.01)I | 主分类号 | C01B31/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 郭辉 |
| 主权项 | 一种用于在含硅层(101)的基材(100)表面上形成石墨烯层(105)的方法，所述方法依次包括以下步骤：‑在所述硅层的自由表面上形成碳化硅膜(103)；以及‑逐步加热该基材，直到至少该碳化硅膜的第一原子晶格阵列中的硅升华，从而在所述碳化硅膜上形成石墨烯层；所述方法的特征在于，使用了具有阶梯式自由表面的硅层，以及所述方法的特征在于，所述方法包括在加热基材直到至少所述碳化硅膜(103)的第一原子晶格阵列升华之前，在受控气态硅流下预热基材(100)的在先步骤。 | ||
| 地址 | 法国巴黎 | ||