一种薄片状C/C-SiC-MoSi₂陶瓷基复合材料的制备方法

摘要

一种薄片状C/C-SiC-MoSi₂陶瓷基复合材料的制备方法，将碳化硅粉体、二硅化钼粉体分散于异丙醇中并加入碘后搅拌均匀，得悬浮液A、B；将碳纤维立体织物采用水热渗透葡萄糖的方式提升密度，然后夹放于带有阴阳两电极的特制水热釜中，再放入烘箱中保温，进行水热电泳沉积，然后通过于在葡萄糖水溶液中重复均相水热至1.3～1.5g/cm³，再干燥后进行热处理。本发明制备的复合材料密度适中，结构致密，C/C与SiC界面，SiC与MoSi₂界面以及C/C与MoSi₂界面结合良好。本发明在低温下即可获得具有强度高且高温抗氧化性能良好的复合材料，并且本发明原料容易获得，制备工艺简单，操作简便，成本低。

主权项

一种薄片状C/C‑SiC‑MoSi₂陶瓷基复合材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1)将碳化硅粉体、二硅化钼粉体分别分散于异丙醇中得混合物A、混合物B，混合物A中碳化硅粉体浓度为15～25g/L，混合物B中二硅化钼浓度为30～45g/L；将混合物A、混合物B分别搅拌均匀，得到悬浮液A、悬浮液B；2)向悬浮液A、悬浮液B中分别加入碘单质得混合物A₁、混合物B₁，混合物A₁、混合物B₁中碘单质的浓度均为5.0～6.0g/L，将混合物A₁、混合物B₁加热下搅拌均匀，得悬浮液A₂、悬浮液B₂；3)将碳纤维立体织物切割成圆片；4)将圆片置于葡萄糖水溶液中在180～220℃下进行均相水热处理6～8h，在碳纤维上沉积碳层，得到C/C试样；5)将C/C试样夹放于水热釜中，该水热釜以石墨电极为阳极，夹放C/C试样的导电基体为阴极并且阴阳两极与恒流电源相应两极连接，将悬浮液A₂、悬浮液B₂倒入反应釜内衬中，然后在80～120℃下进行水热电泳沉积为30～50min，水热电泳沉积电压为100～200V，水热电泳电弧放电结束后自然冷却到室温，然后干燥；6)将干燥后的试样放入葡萄糖水溶液中进行在180～220℃下进行均相水热处理6～8h，得到复合材料，重复均相水热处理直至复合材料的密度达到1.3～1.5g/cm³，然后干燥；7)将步骤6)干燥的试样，在1400～1600℃下热处理1～3h，得到薄片状C/C‑SiC‑MoSi₂陶瓷基复合材料。