发明名称 一种新型腔内陶瓷环
摘要 一种新型腔内陶瓷环,是将陶瓷环边缘尖角加工成圆角,利用圆弧过渡解决电荷堆积的技术问题。其具体结构:它包括晶圆、热盘及陶瓷环。所述陶瓷环的边缘加工有圆角,圆角包括陶瓷环外缘上角、陶瓷环外缘下角、陶瓷环内缘上角及陶瓷环内缘下角。所述陶瓷环外缘上角、陶瓷环外缘下角、陶瓷环内缘上角及陶瓷环内缘下角其圆角的半径在0.5mm-2mm。本发明结构简单、易加工、安全可靠及可有效防止尖端放电现象。主要应用于半导体镀膜设备反应腔内常温或高温工艺过程中,属于半导薄膜沉积的应用技术领域。
申请公布号 CN105132890A 申请公布日期 2015.12.09
申请号 CN201510523955.X 申请日期 2015.08.24
申请人 沈阳拓荆科技有限公司 发明人 柴智
分类号 C23C16/458(2006.01)I;C23C14/50(2006.01)I;H01L21/687(2006.01)I 主分类号 C23C16/458(2006.01)I
代理机构 沈阳维特专利商标事务所(普通合伙) 21229 代理人 甄玉荃;霍光旭
主权项 一种新型腔内陶瓷环,其特征在于:该陶瓷环是将陶瓷环边缘尖角加工成圆角,利用圆弧过渡防止电荷堆积。
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