| 发明名称 | 带有附加层的TFT LCD结构生成方法及不良检测设备 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种带有附加层的TFT LCD结构生成方法及不良检测设备，其方法包括：在玻璃基板上通过沉积、光刻和刻蚀后形成栅极扫描线，并在它上面沉积一层SiNx保护膜层；在SiNx保护膜层上形成一层带有颜色的附加层；在附加层上沉积一层和SiNx保护膜层相同的SiNx薄膜作为保护层；在SiNx薄膜沉积信号线、a-Si TFT和SiNx层；将暴露在光刻胶外面的附加层以及SiNx薄膜刻蚀掉，保留SiNx保护膜层，再利用现有工艺方式进行钝化层PVX和像素电极层ITO处理，形成TFT LCD结构。本发明通过形成一层用于指示不良位置的带有颜色的附加层，在第二层完成形成沟道图形的时候，就可以提前发现不良。 | ||
| 申请公布号 | CN105140216A | 申请公布日期 | 2015.12.09 |
| 申请号 | CN201510455022.1 | 申请日期 | 2015.07.29 |
| 申请人 | 北京理工大学 | 发明人 | 喻志农;郭建;张潇龙;薛唯 |
| 分类号 | H01L23/544(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/544(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京理工大学专利中心 11120 | 代理人 | 仇蕾安;张瑜 |
| 主权项 | 一种带有附加层的TFT LCD结构生成方法，其特征在于，包括：步骤1，在玻璃基板(8)上通过沉积、光刻和刻蚀后形成栅极扫描线(1)，并在它上面沉积一层SiNx保护膜层(9)；步骤2，在所述SiNx保护膜层(9)上形成一层带有颜色的附加层(11)，所述附加层(11)为金属膜、绝缘膜或高分子材料薄膜；所述附加层(11)带有的颜色与SiNx和信号线(2)颜色不同；步骤3，在所述附加层(11)上沉积一层和所述SiNx保护膜层(9)相同的SiNx薄膜(12)作为保护层；步骤4，利用现有沉淀方式在所述SiNx薄膜(12)沉积信号线(2)、α‑Si TFT层(3)和SiNx层(10)；其中α‑Si TFT为非晶硅晶体管；步骤5，将暴露在光刻胶外面的附加层(11)以及SiNx薄膜(12)刻蚀掉，保留SiNx保护膜层(9)，再利用现有工艺方式进行钝化层PVX和像素电极层ITO处理，形成TFT LCD结构。 | ||
| 地址 | 100081 北京市海淀区中关村南大街5号 | ||