| 发明名称 | 具有背栅的finFET | ||
| 摘要 | 本发明涉及双栅极finFET(1000)，其包括：至少两个鳍(FIN)，其实现单一的沟道；背栅(BG)，其放置在鳍之间；以及前栅(FG)，其放置在鳍的外侧。此外，本发明还涉及产生双栅极finFET的制造工艺。 | ||
| 申请公布号 | CN105144389A | 申请公布日期 | 2015.12.09 |
| 申请号 | CN201480016853.2 | 申请日期 | 2014.03.13 |
| 申请人 | SOITEC公司 | 发明人 | C·马聚尔;F·霍夫曼 |
| 分类号 | H01L29/66(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/66(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人 | 程伟;王锦阳 |
| 主权项 | 一种双栅极finFET(1000)，包括：至少两个鳍(FIN)，其实现沟道；背栅(BG)，其放置在鳍之间；以及前栅(FG)，其放置在鳍的外侧。 | ||
| 地址 | 法国贝尔尼 | ||