具有载流子存储层的沟槽栅IGBT制备方法

摘要

本发明涉及一种具有载流子存储层的沟槽栅IGBT制备方法，其包括如下步骤：a、提供所需具有第一导电类型的衬底，并在所述衬底内的上部设置载流子存储层；b、提供所需具有第二导电类型的基板，并将所述基板键合固定在衬底上；c、在上述的器件基底的正面设置所需的沟槽型正面结构；d、在器件基底的背面设置所需的背面结构，所述背面结构包括设置于衬底背面且导电类型为第二导电类型的集电区，所述集电区上设有集电极金属层，所述集电极金属层与集电区欧姆接触。本发明工艺步骤简单，与现有工艺兼容，提高了IGBT器件的稳定性和可靠性。

主权项

一种具有载流子存储层的沟槽栅IGBT制备方法，其特征是，所述沟槽栅IGBT制备方法包括如下步骤：（a）、提供所需具有第一导电类型的衬底（1），并在所述衬底（1）内的上部设置载流子存储层（7），所述载流子存储层（7）的导电类型与衬底（1）的导电类型相一致；（b）、提供所需具有第二导电类型的基板（12），并将所述基板（12）键合固定在衬底（1）上，且基板（12）与衬底（1）键合固定后，基板（12）与载流子存储层（7）相接触，以形成所需的器件基底；（c）、在上述的器件基底的正面设置所需的沟槽型正面结构，所述沟槽型正面结构包括沟槽（5），所述沟槽（5）从器件基底的上表面垂直向下延伸且沟槽（5）的槽底位于载流子存储层（7）下方的衬底（1）内；（d）、在器件基底的背面设置所需的背面结构，所述背面结构包括设置于衬底（1）背面且导电类型为第二导电类型的集电区（2），所述集电区（2）上设有集电极金属层（4），所述集电极金属层（4）与集电区（2）欧姆接触。