| 发明名称 | 放大成像光学单元和具有这种成像光学单元的EUV掩模检测系统 | ||
| 摘要 | 放大成像光学单元(7)用于检测用在EUV投射曝光中的光刻掩模。成像光学单元(7)包括至少两个反射镜(M1至M4)，至少两个反射镜能够相对彼此移位以改变放大值。根据另一方面，放大成像光学单元(7)包括至少一个反射镜(M1至M4)和放大值，通过使至少两个反射镜(M1至M4)相对彼此移位，放大值可以改变。在此，放大值可以在大于100的最小放大值和大于200的最大放大值之间改变。成像光学单元呈现为尤其可适配于具有不同尺寸的掩模结构。 | ||
| 申请公布号 | CN105143951A | 申请公布日期 | 2015.12.09 |
| 申请号 | CN201480014299.4 | 申请日期 | 2014.03.07 |
| 申请人 | 卡尔蔡司SMT有限责任公司 | 发明人 | H-J.曼 |
| 分类号 | G02B17/06(2006.01)I | 主分类号 | G02B17/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 邱军 |
| 主权项 | 检测用在EUV投射曝光中的光刻掩模(2)的放大成像光学单元(7；19)，‑包括至少两个反射镜(M1至M4)，所述至少两个反射镜能够相对彼此移位以改变放大值，‑其中，所述放大成像光学单元(7；19)的像场(9)在所述像场(9)的尺寸和位置方面独立于所述放大值，‑其中，物场(6)和所述反射镜(M1至M4)之间的距离是有限的。 | ||
| 地址 | 德国上科亨 | ||