具有高发光效率量子垒的外延片及其制备方法

摘要

本发明公开了一种具有高发光效率量子垒的外延片及其制备方法，属于发光二极管领域。该方法包括：提供一衬底；在所述衬底上依次生长u型GaN层和N型GaN层；在所述N型GaN层上生长多量子阱有源层，所述多量子阱有源层包括交替生长的多个InGaN阱层和多个GaN垒层，所述多个GaN垒层中的最靠近所述N型GaN层的至少一个所述GaN垒层为P型GaN垒；在所述多量子阱有源层上生长P型GaN载流子层。本发明中，最靠近N型GaN层的至少一个InGaN阱层中空穴浓度大幅增加，而在大电流密度下，注入多量子阱有源层中的电子是随之增多的，所以可以大大提高电子和空穴在多量子阱有源层中的复合效率，使得电子溢漏的程度减小，提高了大电流密度下GaN基LED的发光效率。

主权项

一种具有高发光效率量子垒的外延片制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供一衬底；在所述衬底上依次生长u型GaN层和N型GaN层；在所述N型GaN层上生长多量子阱有源层，所述多量子阱有源层包括交替生长的多个InGaN阱层和多个GaN垒层，所述多个GaN垒层中的最靠近所述N型GaN层的至少一个所述GaN垒层为P型GaN垒；在所述多量子阱有源层上生长P型GaN载流子层。