发明名称 新型温控系统在低温薄膜制备中的应用
摘要 新型温控系统在低温薄膜制备中的应用,主要解决现有技术进行薄膜沉积时不能连续生产且低温工艺产能低的问题。所述温控系统是采用温控加热盘的方式,是通过介质油对加热盘进行温度的控制来实现,以达到在工艺前后加热盘的温度保持在设定温度范围。在射频输入功率开启前,通过降低油的温度抵消等离子体对加热盘带来的加热效果,进而使得加热盘温度保持在设定值不变。在沉积过程结束时需要将油的温度升至起始温度,避免加热盘在腔体的清洗过程中出现降温。加热盘的温度保持不变,即可以实现产品的连续性生产,大幅度的提高设备的产能。主要适用于半导体薄膜沉积设备的低温工艺中。
申请公布号 CN105132891A 申请公布日期 2015.12.09
申请号 CN201510527929.4 申请日期 2015.08.24
申请人 沈阳拓荆科技有限公司 发明人 吴围;于棚;郑英杰;李丹
分类号 C23C16/46(2006.01)I 主分类号 C23C16/46(2006.01)I
代理机构 沈阳维特专利商标事务所(普通合伙) 21229 代理人 甄玉荃;霍光旭
主权项 一种新型温控系统在低温薄膜制备中的应用,其特征在于:该温控系统是通过介质油对加热盘进行温度控制来实现的,其油控温的加热模式,使得加热盘在工艺过程中的温度保持在设定温度范围。
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