发明名称 |
一种制备TEM芯片样品的方法 |
摘要 |
本发明提供一种制备TEM芯片样品的方法,将含有金属线路的芯片在聚焦离子束切割下形成至少一个露出所述金属线路的表面,在所述表面沉积碳层,使得碳层将所述金属线路覆盖。本发明提供的芯片样品制备方法使得在露出金属线路的表面沉积碳层,利用碳层来保护表面露出的金属线路,这样使得金属线路不会接触外界空气,从而防止被外界空气氧化腐蚀,同时即使表面上覆盖了碳层,也并不影响样品在透射电镜中的观察,因此提高了制样的成功率。 |
申请公布号 |
CN105136539A |
申请公布日期 |
2015.12.09 |
申请号 |
CN201510532705.2 |
申请日期 |
2015.08.26 |
申请人 |
上海华力微电子有限公司 |
发明人 |
陈强 |
分类号 |
G01N1/28(2006.01)I |
主分类号 |
G01N1/28(2006.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
智云 |
主权项 |
一种制备TEM芯片样品的方法,其特征在于,将含有金属线路的芯片在聚焦离子束切割下形成至少一个露出所述金属线路的表面,在所述表面沉积碳层,使得碳层将所述金属线路覆盖。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江开发区高斯路568号 |