一种具有常关沟道的高压多异质结器件

摘要

本发明涉及电力电子技术的新型增强机理的异质结器件，特别涉及一种具有常关沟道的高压多异质结器件，本发明的多异质结型常关沟道器件，主要通过第三半导体层、第四半导体层、第五半导体层、第六半导体层形成多异质结，在栅极下方具有非平面结构，非平面的异质结沟道的极化方向与第三半导体层、第四半导体层、第五半导体层和第六半导体层的材料生长方向有一定角度，实现异质结界面的二维电子气(2DEG)不连续，即源漏之间形成了非常闭型电气连接，最终实现多异质结常关沟道器件。本发明的有益效果为多异质结常关沟道器件，能在高温高场环境下稳定工作，版图和工艺易于实现，且易于控制常关沟道的阈值电压。

主权项

一种具有常关沟道的高压多异质结器件，包括从下往上依次设置的第一半导体衬底层(201)、第二半导体缓冲层(202)、第三半导体层(203)、第四半导体层(204)和第五半导体层(205)；所述第四半导体层(204)的两端上表面分别设置有第一欧姆接触(101)和第二欧姆接触(103)；所述第五半导体层(205)上具有金属电极(102)；所述第三半导体层(203)与第四半导体层(204)在接触界面形成第一异质结，所述的第四半导体层(204)与第五半导体层(205)在接触界面形成第二异质结；其特征在于，所述金属电极(102)下方具有使其正下方二维电子气沟道中断的非平面异质结。