| 发明名称 | 基于聚焦离子束刻蚀光波导的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种基于聚焦离子束刻蚀光波导的方法，该方法包括：S1、设计一种纳米圆环阵列结构，所述纳米圆环阵列结构中纳米圆环互相紧贴，光波导的刻蚀宽度值为两倍的圆环宽度；S2、将所述纳米圆环阵列结构保存到聚焦离子束刻蚀系统中；S3、从聚焦离子束系统中调用所述纳米圆环阵列结构，聚焦离子束轰击样品表面进行刻蚀，完成制备。通过本发明制造的光波导结构具有超高占空比，几乎垂直的侧壁。 | ||
| 申请公布号 | CN103064147B | 申请公布日期 | 2015.12.09 |
| 申请号 | CN201310038365.9 | 申请日期 | 2013.01.31 |
| 申请人 | 东北大学秦皇岛分校 | 发明人 | 杨琳娟;姜潇潇;谷琼婵;宋爱娟;梁丽勤;吕江涛;王凤文;司光远 |
| 分类号 | G02B6/136(2006.01)I | 主分类号 | G02B6/136(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人 | 王莹 |
| 主权项 | 一种基于聚焦离子束刻蚀光波导的方法，其特征在于，该方法包括：S1、设计一种纳米圆环阵列结构，所述纳米圆环阵列结构中纳米圆环互相紧贴，光波导的刻蚀宽度值为两倍的圆环宽度，所述光波导的刻蚀宽度最小值为20nm；S2、将所述纳米圆环阵列结构保存到聚焦离子束刻蚀系统中；S3、从聚焦离子束系统中调用所述纳米圆环阵列结构，聚焦离子束轰击样品表面进行刻蚀，完成制备。 | ||
| 地址 | 066004 河北省秦皇岛市经济技术开发区泰山路143号东北大学秦皇岛分校 | ||