发明名称 相互支援之XFD封装
摘要 为一种微电子封装,其介电质元件具有第一与第二平行的孔。第一微电子元件之接点系覆盖第一孔,第二微电子元件之接点系覆盖第二孔。第二微电子元件可覆盖第一微电子元件的后表面,以及与第一微电子元件相同的介电质元件表面。第一与第二孔间的介电质元件第二表面上第一端子可配置来传送所有资料信号,藉以读取与写入存取第一与第二微电子元件内的记忆体位置。
申请公布号 TWI534984 申请公布日期 2016.05.21
申请号 TW103136936 申请日期 2014.10.24
申请人 英凡萨斯公司 发明人 柯斯伯 理查 狄威特;哈巴 贝勒卡塞姆;柔伊 韦尔
分类号 H01L25/04(2014.01);H01L23/52(2006.01) 主分类号 H01L25/04(2014.01)
代理机构 代理人 张煌壠
主权项 一种微电子封装,包含:一介电质元件,具有第一与第二对立的表面,且具有第一与第二相间隔的孔,每一孔延伸于该第一与第二表面之间;一第一微电子元件,具有面向该第一表面的一前表面、背向该第一表面的一后表面、以及延伸于该前与后表面之间的一边缘,该第一微电子元件之接点系曝露于该前表面处;及一第二微电子元件,具有部分覆盖该第一微电子元件的该后表面且面向该第一表面之一前表面,该第二微电子元件之接点系设置于其前表面的一中心区域中,该接点之设置系超出该第一微电子元件的该边缘;该介电质元件之端子系位于该第二表面处,该第一微电子元件的该接点覆盖该第一孔,并且电性耦接于该端子,且该第二微电子元件的该接点覆盖该第二孔,并且电性耦接于该端子;该端子之复数个第一端子系在该第一与第二孔之间,该第一端子系配置来传送所有资料信号,藉以读取与写入存取该第一与第二微电子元件内的记忆体储存阵列的随机存取可定址记忆体位置;其中该第一与第二微电子元件为DDRx的类型;其中该介电质元件之第一与第二平行边缘系延伸于该第一与第二表面之间,该第二表面的一第一区域系设置于该第一孔与该第一边缘之间,该第二表面的一第二区域系设置于该第二孔与该第二边缘之间,其中该端子之第二端子至少有一些第二端子系具有位址资讯信号分配,藉以指定该记忆体储存阵列内的 每一个别可定址记忆体位置,其中所有该第二端子设置于该第一与第二区域之至少一区域内的位置处。
地址 美国