发明名称 一种n型硅双面太阳能电池
摘要 本实用新型公开了一种n型硅双面太阳能电池,其特征在于,包括依次叠加在n型硅正面的增透膜和银铝电极,以及依次叠加在n型硅背面的钝化膜和银电极;其中所述增透膜和钝化膜上刻蚀有露出n型硅片的点状或条状结构;所述银铝电极通过所述增透膜上的点状或条状结构形成与n型硅的局部电接触;所述银电极通过所述钝化膜上的点状或条状结构形成与n型硅的局部电接触。本实用新型在太阳能电池的膜体上采用刻蚀方法,刻蚀掉局部膜体,然后在局部刻蚀的膜体上印刷导电浆料烧结形成电极,实现电极与n型硅直接电接触,而保留尽量多的膜体在导电浆料高温烧结时不被破坏,增加了太阳能电池的开路电压,减小了接触电阻,从而提高了太阳能电池的转换效率。
申请公布号 CN204857737U 申请公布日期 2015.12.09
申请号 CN201520488694.8 申请日期 2015.07.08
申请人 四川银河星源科技有限公司 发明人 李运钧;尹天平;曾国平;杨墨熹;李昕
分类号 H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/068(2012.01)I 主分类号 H01L31/0224(2006.01)I
代理机构 北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11369 代理人 周庆佳
主权项 一种n型硅双面太阳能电池,其特征在于,包括依次叠加在n型硅正面的增透膜和银铝电极,以及依次叠加在n型硅背面的钝化膜和银电极;其中所述增透膜和钝化膜上刻蚀有露出n型硅片的点状或条状结构;所述银铝电极通过所述增透膜上的点状或条状结构形成与n型硅的局部电接触;所述银电极通过所述钝化膜上的点状或条状结构形成与n型硅的局部电接触。
地址 622650 四川省绵阳市安县工业园区(花荄镇)