发明名称 一种IGBT管驱动保护电路
摘要 本实用新型公开了一种IGBT管驱动保护电路,包括电源、开关电路、过流保护电路、降压保护电路和IGBT管;电源为电路提供+15V电压输入,控制信号通过信号输入端A、开关电路和过流保护电路控制IGBT管导通或截止;IGBT管的短路电流的大小与栅极电压有关,通过降压保护电路的限压支路钳定栅极电源,减小短路电流或延长短路电流的承受时间,过流保护电路可以有效地起到集电极电流变化过大的保护作用,降低频繁开闭IGBT管对其使用寿命造成的影响。
申请公布号 CN204859139U 申请公布日期 2015.12.09
申请号 CN201520528006.6 申请日期 2015.07.20
申请人 青岛佳恩半导体有限公司 发明人 王丕龙;王新强;徐旭
分类号 H03K17/08(2006.01)I;H03K17/567(2006.01)I 主分类号 H03K17/08(2006.01)I
代理机构 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 代理人 龚燮英
主权项 一种IGBT管驱动保护电路,其特征在于:包括电源、开关电路、过流保护电路、降压保护电路和IGBT管;电源为电路提供+15V电压输入,控制信号通过信号输入端A、开关电路和过流保护电路控制IGBT管导通或截止;开关电路包括三极管Q1、Q2、Q4和电阻R4、R5,Q1和Q4为NPN三极管,Q2为PNP三极管,Q1和Q4集电极接电源,Q2集电极接地,Q1和Q2发射极相连,Q1和Q2基极相连并通过电阻R4连接Q4发射极,信号输入端A接入Q4基极,Q4发射极和基极之间连接电阻R5;过流保护电路具有:二极管VD4和电阻R1、R2,VD4正极连接IGBT管栅极,负极通过R1连接Q1和Q2的发射极,R2并联在R1和VD4两端;降压保护电路具有:限压支路,连接在IGBT栅极和发射极之间;限压支路由稳压二极管VD3和NPN三极管Q3构成,VD3负极接IGBT栅极,正极接Q3集电极,Q3发射极接地;充放电支路,用以充放电,控制限压支路导通或断开;其具有二极管VD6、电容C1、稳压二极管VD5和电阻R6、R7,R6和R7串联后,一端经由VD6连接在Q4发射极和R4之间,另一端接地,C1并联在R7两端,VD5正极接Q3基极,负极接R6和R7之间;VD7,正极连接在R6和R7之间,负极接IGBT集电极。
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