发明名称 | 一种半导体器件的制造方法 | ||
摘要 | 本发明提供一种半导体器件的制造方法,包括:提供半导体衬底,在所述半导体衬底上形成有虚拟栅极结构,所述虚拟栅极结构包括覆盖层和牺牲栅电极层;在所述虚拟栅极结构的顶部和侧面形成一侧壁,所述侧壁不含有氧;在所述虚拟栅极结构的两侧形成紧靠所述侧壁的间隙壁结构;去除所述牺牲栅电极层,以在所述间隙壁结构的中间形成一栅沟槽;实施金属栅的回填,以填充所述栅沟槽。根据本发明,在形成CMOS器件的高k金属栅极结构的侧壁的过程中,可以避免在所述高k金属栅极结构的覆盖层和金属栅极之间形成界面层。 | ||
申请公布号 | CN102956456B | 申请公布日期 | 2015.12.09 |
申请号 | CN201110239277.6 | 申请日期 | 2011.08.19 |
申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 平延磊 |
分类号 | H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;顾珊 |
主权项 | 一种半导体器件的制造方法,包括:提供半导体衬底,在所述半导体衬底上形成有虚拟栅极结构,所述虚拟栅极结构包括自下而上层叠的覆盖层和牺牲栅电极层;在所述虚拟栅极结构的顶部和侧面形成一侧壁,所述侧壁不含有氧,且形成所述侧壁时采用的等离子增强化学气相沉积工艺是在温度为300‑400℃的条件下进行的,以避免氧在高温的作用下扩散进入所述覆盖层和所述牺牲栅电极层之间的界面形成通过蚀刻难于去除的界面层;在所述虚拟栅极结构的两侧形成紧靠所述侧壁的间隙壁结构;去除所述牺牲栅电极层,以在所述间隙壁结构的中间形成一栅沟槽;实施金属栅的回填,以填充所述栅沟槽。 | ||
地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 |