发明名称 低压差线性稳压器
摘要 本发明公开的低压差线性稳压器,属于集成电路的技术领域。低压差线性稳压器,包括:输出MOS管,串接在输出MOS管电流流出端上的电压采样电路,比较采样信号、基准电压值得到误差信号的电压比较电路,由误差信号驱动输出MOS管工作的Buffer驱动电路,电压比较电路包括:第一耗尽型NMOS管、第一增强型NMOS管,以基准电压产生电路实现电压比较功能,减小了版图面积,具有低功耗、低噪声、高PSRR的优点。
申请公布号 CN104049668B 申请公布日期 2015.12.09
申请号 CN201410330954.9 申请日期 2014.07.11
申请人 南京芯力微电子有限公司 发明人 黄九洲;夏炎
分类号 G05F1/56(2006.01)I 主分类号 G05F1/56(2006.01)I
代理机构 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 代理人 熊玉玮
主权项 低压差线性稳压器,包括:输出MOS管,串接在输出MOS管电流流出端上的电压采样电路,比较采样信号、基准电压值得到误差信号的电压比较电路,由误差信号驱动输出MOS管工作的Buffer驱动电路,其特征在于,所述电压比较电路包括:第一耗尽型NMOS管(DN1)、第一增强型NMOS管(MN1),所述第一耗尽型NMOS管(DN1)漏极接输入电源,第一耗尽型NMOS管(DN1)的栅极、源极短接后接第一增强型NMOS管(MN1)漏极,第一增强型NMOS管(MN1)源极接地,第一增强型NMOS管(MN1)栅极接采样信号,第一增强型NMOS管(MN1)漏极输出误差信号;所述Buffer驱动电路包括:第一增强型PMOS管(MP1)、第一电阻(R3)、第二增强型NMOS管(MN2),所述第一增强型PMOS管(MP1)源极接输入电源,第一增强型PMOS管(MP1)的栅极、漏极短接后接第一电阻(R3)的一端,第一电阻(R3)另一端接第二增强型NMOS管(MN2)漏极,第二增强型NMOS管(MN2)栅极接第一增强型NMOS管(MN1)漏极,第二增强型NMOS管(MN2)源极接地。
地址 210016 江苏省南京市黄埔路2号黄埔科技大厦B座22层