| 发明名称 |
WET PROCESS CERIA COMPOSITIONS FOR POLISHING SUBSTRATES, AND METHODS RELATED THERETO |
| 摘要 |
화학-기계적 연마 조성물 및 기판의 연마 방법이 개시된다. 연마 조성물은 낮은 평균 입자 크기 (예를 들어, 30 ㎚ 이하)의 습식-공정 세리아 연마 입자, 1종 이상의 알콜 아민, 및 물을 포함하며, 여기서 상기 연마 조성물은 6의 pH를 갖는다. 연마 조성물은, 예를 들어 임의의 적합한 기판, 예컨대 반도체 산업에서 사용되는 폴리규소 웨이퍼를 연마하는데 사용될 수 있다. |
| 申请公布号 |
KR20160070093(A) |
申请公布日期 |
2016.06.17 |
| 申请号 |
KR20167011917 |
申请日期 |
2014.09.30 |
| 申请人 |
CABOT MICROELECTRONICS CORPORATION |
发明人 |
REISS BRIAN;DYSARD JEFFREY;SHEKHAR SAIRAM |
| 分类号 |
C09G1/02;B24B1/00;C09K3/14;H01L21/3105;H01L21/321 |
主分类号 |
C09G1/02 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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