一种背照式影像芯片晶圆级3D堆叠结构及封装工艺

摘要

本发明公开了一种背照式影像芯片晶圆级3D堆叠结构及封装工艺，该封装工艺将BSI芯片的感光模块、ADC或ISP芯片分别做两个芯片，通过晶圆级3D堆叠实现两者电连接，以满足成像效果好和封装尺寸小的需求。同时BSI芯片采用非TSV封装，实现封装产品成本的最小化，更能根据需要采用临时键合方案实现BSI芯片封装玻璃盖板厚度的最薄化，以达到产品的最佳光学性能和封装的超薄需求。

主权项

一种背照式影像芯片晶圆级3D堆叠封装工艺，其特征在于：包括以下步骤：1)在BSI芯片和ADC/ISP芯片上进行晶圆级重布线；所述BSI芯片为完成BEOL工艺的半成品芯片；2)在BSI芯片和ADC/ISP芯片上均制作晶圆级微凸点；3)通过键合技术将BSI芯片和ADC/ISP芯片进行晶圆级键合；4)对BSI芯片面进行减薄暴露光电二极管层；5)在BSI芯片上完成设置彩色滤光膜和微凸镜工艺；6)通过高透光性胶将BSI芯片与玻璃盖板进行晶圆级键合；7)对ADC/ISP芯片面减薄至一定厚度；8)在ADC/ISP芯片面进行TSV硅通孔；9)在ADC/ISP芯片面沉积绝缘层；10)在TSV硅通孔的底部进行绝缘层Pad开窗；11)通过重布线工艺实现ADC/ISP芯片电连接点由Pad转移至背面的焊盘；12)塑封表面保护线路和产品；13)设置BGA实现产品后续与印刷电路板之间的高效连接；14)最后切割成单颗封装好的芯片。