| 发明名称 | 一种测试SRAM共享接触孔与有源区接触电阻的结构 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种测试SRAM共享接触孔与有源区接触电阻的结构，包括：SRAM存储单元阵列和边界单元；其中，所述边界单元用于将阱电位接出，同时作为SRAM存储单元阵列的环境；而且，所述SRAM存储单元阵列包括多个阵列单元，其中每个阵列单元包括按照左右镜像且上下镜像的方式排列的四个改型SRAM存储单元版图结构；每个改型SRAM存储单元版图结构包含且仅仅包含一个共享接触孔；而且在每个阵列单元中，每个改型SRAM存储单元版图结构的共享接触孔与相邻的镜像对称的另一个改型SRAM存储单元版图结构的共享接触孔通过金属布线连接。 | ||
| 申请公布号 | CN105140147A | 申请公布日期 | 2015.12.09 |
| 申请号 | CN201510435916.4 | 申请日期 | 2015.07.22 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 葛雯;刘梅;马杰 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/66(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 智云 |
| 主权项 | 一种测试SRAM共享接触孔与有源区接触电阻的结构，其特征在于包括：SRAM存储单元阵列和边界单元；其中，所述边界单元用于将阱电位接出，同时作为SRAM存储单元阵列的环境；而且，所述SRAM存储单元阵列包括多个阵列单元，其中每个阵列单元包括按照左右镜像且上下镜像的方式排列的四个改型SRAM存储单元版图结构；每个改型SRAM存储单元版图结构包含且仅仅包含一个共享接触孔。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江开发区高斯路568号 | ||