沉积含金属膜于具有图案化构造的基板上的方法

摘要

本发明实施例公开了一种沉积含金属膜于具有图案化构造的基板上的方法，即揭示由底部向上的金属沉积方法，以填入内连线结构和置换栅极结构，能使具有高深宽比的细微构造的间隙填入不会造成空洞，并且提供具有良好镀膜品质的金属膜。利用GCIB工艺沉积金属膜的临场前处理能允许表面杂质和表面氧化物，以改善底层和沉积的金属之间的粘结性。借由PI-CVD工艺沉积的金属膜是使用高能量低频率的光源，于相对低的温度时呈现类液态的性质，而允许金属膜由底部向上填入细微构造。由PI-CVD工艺沉积的金属膜的后沉积退火工艺能使金属膜致密化，并从金属膜移除残留的气态物种。本发明解决了具有高深宽比的细微构造在间隙填入时所面临的挑战。

主权项

一种沉积含金属膜于具有图案化构造的基板上的方法，包括：对具有图案化构造的基板的表面进行前处理，以移除表面氧化物；放置该具有图案化构造的基板于一光诱发化学气相沉积工艺腔体中，该光诱发化学气相沉积即PI‑CVD；使用PI‑CVD法沉积一含金属膜，其中该含金属膜的类‑液态本质致使该含金属膜从底部往上填入该图案化构造；以及实施一退火工艺于该含金属膜，以致密化该含金属膜并从该含金属膜释放残留的气态化合物。