| 发明名称 | 一种含Ni的纳米薄膜材料及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种含Ni的纳米薄膜材料，包括绝缘基底以及镀在绝缘基底表面的纳米薄膜；所述纳米薄膜的化学式Ni<sub>x</sub>Cr<sub>y</sub>(Bi<sub>z</sub>Sb<sub>1-z</sub>)<sub>2-x-y</sub>Se<sub>3</sub>表示，其中0<x<0.02，0.1<y<0.3，0.1<z<0.3，且1:1<z:y<2:1，所述纳米薄膜镀在绝缘基底表面的厚度为5-50nm。本发明提供的含Ni的纳米薄膜材料大大提高了获得量子化反常霍尔效应的温度，其温度可以高达60K，同时，对材料厚度的要求也大大放宽，最厚可以达到50nm，从而更容易应用于工业化生产。 | ||
| 申请公布号 | CN103647024B | 申请公布日期 | 2015.12.09 |
| 申请号 | CN201310610485.1 | 申请日期 | 2013.11.27 |
| 申请人 | 江苏科技大学 | 发明人 | 杨卫国 |
| 分类号 | H01L49/02(2006.01)I;C23C26/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L49/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人 | 李晓静 |
| 主权项 | 一种含Ni的纳米薄膜材料，其特征在于：包括绝缘基底以及镀在绝缘基底表面的纳米薄膜；所述纳米薄膜的化学式由Ni<sub>x</sub>Cr<sub>y</sub>(Bi<sub>z</sub>Sb<sub>1‑z</sub>)<sub>2‑x‑y</sub>Se<sub>3</sub>表示，其中0<x<0.02，0.1<y<0.3，0.1<z<0.3，且1:1<z:y<2:1，所述纳米薄膜镀在绝缘基底表面的厚度为5‑50nm。 | ||
| 地址 | 212003 江苏省镇江市梦溪路2号 | ||