| 发明名称 | 用于提高非易失性存储器的耐久性的动态擦除深度 | ||
| 摘要 | 公开了通过动态擦除深度来提高非易失性存储器的耐久性。对一组存储器单元进行擦除。然后，对经擦除的存储器单元中的至少一些存储器单元进行编程。对存储器单元进行编程通常影响意欲保持被擦除的那些存储器单元的擦除阈值分布。可以基于编程操作影响擦除阈值分布的程度来调节下一擦除的擦除深度。作为一个示例，在编程之后对擦除分布的上尾进行测量。在一种实施方式中，该上尾越高，下一擦除越浅。这有助于提高耐久性。在一种实施方式中，通过确定适当擦除验证电平来调节擦除深度。可以对擦除验证过后进行的擦除脉冲的数量进行调节而不是对擦除验证电平进行调节(或者可以除对擦除验证电平进行调节以外对擦除验证过后进行的擦除脉冲的数量进行调节)来调节擦除深度。 | ||
| 申请公布号 | CN105144300A | 申请公布日期 | 2015.12.09 |
| 申请号 | CN201480011916.5 | 申请日期 | 2014.03.03 |
| 申请人 | 桑迪士克技术有限公司 | 发明人 | 迪潘舒·杜塔;赖春洪;李世钟;大和田宪;东谷政昭 |
| 分类号 | G11C16/16(2006.01)I;G11C16/34(2006.01)I | 主分类号 | G11C16/16(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 朱胜;李春晖 |
| 主权项 | 一种用于操作非易失性存储器的方法，所述方法包括：对一组非易失性存储元件进行擦除(1302)；在对所述组进行擦除之后对所述组中的非易失性存储元件的集合进行编程(1304)；在所述编程之后确定所述集合中的非易失性存储元件的擦除分布的上尾(1306)；基于所述上尾来创建用于擦除所述一组非易失性存储元件的擦除深度(1308)；以及基于所创建的擦除深度来擦除所述一组非易失性存储元件(1310)。 | ||
| 地址 | 美国德克萨斯州 | ||