具备载流子存储的平面栅IGBT器件

摘要

本发明涉及一种具备载流子存储的平面栅IGBT器件，其包括具备第一导电类型的漂移区以及形成于漂移区正面的平面型元件单元，所述平面型元件单元包括第二导电类型基区以及位于所述第二导电类型基区下方的载流子存储层，载流子存储层的导电类型与漂移区的导电类型相一致，且第二导电类型基区以及载流子存储层均位于漂移区内的上部，所述平面型元件单元还包括用于对载流子存储层进行包裹的第二导电类型掩埋层，所述第二导电类型掩埋层在漂移区内邻接载流子存储层，且第二导电类型掩埋层仅包裹载流子存储层拐角处至所述载流子存储层的底部对应的区域。本发明结构简单紧凑，提高IGBT器件的击穿电压，降低IGBT器件的关断损耗以及导通压降。

主权项

一种具备载流子存储的平面栅IGBT器件，包括具备第一导电类型的漂移区以及形成于漂移区正面的平面型元件单元，所述平面型元件单元包括第二导电类型基区以及位于所述第二导电类型基区下方的载流子存储层（10），载流子存储层（10）的导电类型与漂移区的导电类型相一致，且第二导电类型基区以及载流子存储层（10）均位于漂移区内的上部，其特征是：所述平面型元件单元还包括用于对载流子存储层（10）进行包裹的第二导电类型掩埋层，所述第二导电类型掩埋层在漂移区内邻接载流子存储层（10），且第二导电类型掩埋层仅包裹载流子存储层（10）拐角处至所述载流子存储层（10）的底部对应的区域。