| 发明名称 | 浮栅型闪存结构及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种浮栅型闪存结构及其制备方法，通过形成侧壁设置有凸起结构的浮栅提高控制栅与浮栅的接触面积，进而提高控栅到浮栅的耦合比，改善器件写入和擦除效率，提高器件的工作速度。 | ||
| 申请公布号 | CN105140301A | 申请公布日期 | 2015.12.09 |
| 申请号 | CN201510512861.2 | 申请日期 | 2015.08.19 |
| 申请人 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 发明人 | 罗清威;周俊 |
| 分类号 | H01L29/788(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/788(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人 | 俞涤炯 |
| 主权项 | 一种浮栅型闪存结构，其特征在于，包括：衬底；遂穿氧化层，覆盖所述衬底的上表面；浮栅，设置于所述遂穿氧化层的上表面；ONO层，覆盖所述浮栅暴露的表面；控制栅，覆盖所述ONO层暴露的表面；其中，所述浮栅的侧壁上设置有凸起结构，以增大所述浮栅与所述控制栅之间的耦合比。 | ||
| 地址 | 430205 湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号 | ||