发明名称 一种脉冲激光辅助化学气相沉积生长系统装置
摘要 本实用新型公开一种脉冲激光辅助化学气相沉积生长系统装置。所述装置包括激光器、加热系统、生长室、真空系统、冷却系统、载气系统、排气系统。激光器用于产生高能激光束,激光束与源材料靶材作用形成等离子体羽辉。生长室是一密封的Y型管,可先后或同时进行各种物理/化学反应。加热系统采用多温区管式炉可控加热方法,为生长室中材料生长提供所需的高温环境。本实用新型装置可先后、可同时进行脉冲激光沉积和化学气相沉积,可调节控制激光、温度、气压、反应气体等,分别或同时利用物理/化学方式达到高质量多组分的薄膜、异质结及纳米结构等材料的生长,材料体系可覆盖氧化物、半导体、金属及其复合结构等。
申请公布号 CN204849023U 申请公布日期 2015.12.09
申请号 CN201520554046.8 申请日期 2015.07.28
申请人 北京师范大学 发明人 张金星;杨振雄;宋创业
分类号 C23C16/48(2006.01)I 主分类号 C23C16/48(2006.01)I
代理机构 北京正理专利代理有限公司 11257 代理人 张文祎
主权项 一种脉冲激光辅助化学气相沉积生长系统装置,其特征在于:该系统包括激光器、加热系统、生长室、真空系统(4)、冷却系统(26)、载气系统和排气系统(27);所述激光器产生的激光射入生长室;所述生长室与真空系统(4)、载气系统和排气系统(27)连通,所述冷却系统(26)和生长室、真空系统(4)连接,所述冷却系统、真空系统(4)、载气系统和排气系统(27)可单独关闭和打开。
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