发明名称 |
一种NF3管路结构 |
摘要 |
本实用新型公开了一种NF<sub>3</sub>管路结构,包括气体柜、清扫管路、工艺管路、远程等离子体系统及工艺反应腔体,所述气体柜中设置有清扫NF<sub>3</sub>气源和工艺NF<sub>3</sub>气源,所述清扫管路一端连通清扫NF<sub>3</sub>气源、另一端依次连通远程等离子体系统和工艺反应腔体,所述工艺管路一端连通工艺NF<sub>3</sub>气源、另一端连通工艺反应腔体。本实用新型采用的工艺管路没有经过远程等离子体系统,而是直接和工艺反应腔体连接,进入工艺反应腔体后,工艺NF<sub>3</sub>不会带有远程等离子体系统中的颗粒等附着物,在硅片成膜的过程中,避免附着物对硅片的不利影响,保证了硅片的良率,提高了工艺的效率,减少了颗粒引入源。 |
申请公布号 |
CN204852931U |
申请公布日期 |
2015.12.09 |
申请号 |
CN201520536803.9 |
申请日期 |
2015.07.22 |
申请人 |
上海华力微电子有限公司 |
发明人 |
刘涛;金懿 |
分类号 |
F17D1/02(2006.01)I;H01J37/32(2006.01)I |
主分类号 |
F17D1/02(2006.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
智云 |
主权项 |
一种NF<sub>3</sub>管路结构,包括气体柜、清扫管路、工艺管路、远程等离子体系统及工艺反应腔体,其特征在于,所述气体柜中设置有清扫NF<sub>3</sub>气源和工艺NF<sub>3</sub>气源,所述清扫管路一端连通清扫NF<sub>3</sub>气源、另一端依次连通远程等离子体系统和工艺反应腔体,所述工艺管路一端连通工艺NF<sub>3</sub>气源、另一端连通工艺反应腔体。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江开发区高斯路568号 |