发明名称 一种NF3管路结构
摘要 本实用新型公开了一种NF<sub>3</sub>管路结构,包括气体柜、清扫管路、工艺管路、远程等离子体系统及工艺反应腔体,所述气体柜中设置有清扫NF<sub>3</sub>气源和工艺NF<sub>3</sub>气源,所述清扫管路一端连通清扫NF<sub>3</sub>气源、另一端依次连通远程等离子体系统和工艺反应腔体,所述工艺管路一端连通工艺NF<sub>3</sub>气源、另一端连通工艺反应腔体。本实用新型采用的工艺管路没有经过远程等离子体系统,而是直接和工艺反应腔体连接,进入工艺反应腔体后,工艺NF<sub>3</sub>不会带有远程等离子体系统中的颗粒等附着物,在硅片成膜的过程中,避免附着物对硅片的不利影响,保证了硅片的良率,提高了工艺的效率,减少了颗粒引入源。
申请公布号 CN204852931U 申请公布日期 2015.12.09
申请号 CN201520536803.9 申请日期 2015.07.22
申请人 上海华力微电子有限公司 发明人 刘涛;金懿
分类号 F17D1/02(2006.01)I;H01J37/32(2006.01)I 主分类号 F17D1/02(2006.01)I
代理机构 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人 智云
主权项 一种NF<sub>3</sub>管路结构,包括气体柜、清扫管路、工艺管路、远程等离子体系统及工艺反应腔体,其特征在于,所述气体柜中设置有清扫NF<sub>3</sub>气源和工艺NF<sub>3</sub>气源,所述清扫管路一端连通清扫NF<sub>3</sub>气源、另一端依次连通远程等离子体系统和工艺反应腔体,所述工艺管路一端连通工艺NF<sub>3</sub>气源、另一端连通工艺反应腔体。
地址 201203 上海市浦东新区张江开发区高斯路568号
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