| 发明名称 | 阵列基板、制备方法以及显示装置 | ||
| 摘要 | 本发明属于显示技术领域，具体涉及一种阵列基板、制备方法以及显示装置。一种阵列基板，包括基板以及设置于所述基板上的薄膜晶体管和驱动电极，所述薄膜晶体管包括栅极以及设置在同一层的源极/漏极，其中，所述栅极或所述源极/所述漏极与所述驱动电极采用相同的材料形成，且所述驱动电极的厚度小于所述栅极或所述源极/所述漏极的厚度。本发明的阵列基板，在满足透过率的同时，有效地简化了阵列基板的制备工艺，降低了掩模板和材料的成本，减少设备投资，节约了成本，提高了产能，提高了显示装置产品的竞争力。 | ||
| 申请公布号 | CN103474434B | 申请公布日期 | 2015.12.09 |
| 申请号 | CN201310422039.8 | 申请日期 | 2013.09.16 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发明人 | 张锋;姚琪;刘志勇 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 彭瑞欣;陈源 |
| 主权项 | 一种阵列基板，包括基板以及设置于所述基板上的薄膜晶体管和驱动电极，所述薄膜晶体管包括栅极以及设置在同一层的源极/漏极，所述驱动电极包括第一电极与第二电极，所述第一电极与所述第二电极在正投影方向上至少部分重叠，其特征在于，所述栅极或所述源极/所述漏极与所述驱动电极采用相同的材料形成，且所述驱动电极的厚度小于所述栅极或所述源极/所述漏极的厚度。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||