深硅刻蚀方法

摘要

本发明公开了一种深硅刻蚀方法，用以形成台阶结构的沟槽，包括：s1、设计光刻版图形，该光刻版图形具有形成所述沟槽的窗口，利用分割线对所述窗口进行分割，所述分割线为不同台阶的分界线；s2、根据设计的光刻版图形在待加工样品上形成掩膜；s3、在掩膜下对待加工样品进行深硅ICP刻蚀，同时刻蚀掉所述分割线形成的掩膜部分。本发明的深硅刻蚀方法，可以凭借单次刻蚀形成多种不同深度台阶的沟槽，成本低，成功率高。

主权项

一种深硅刻蚀方法，用以形成台阶结构的沟槽，其特征在于，包括：s1、设计光刻版图形，该光刻版图形具有形成所述沟槽的窗口，利用分割线对所述窗口进行分割，窗口被分割线分隔成多个不同间距的小窗口,所述分割线为不同台阶的分界线, 所述分割线的宽度小于或等于5微米；s2、根据设计的光刻版图形在待加工样品上形成掩膜；s3、在掩膜下对待加工样品进行深硅ICP刻蚀，同时刻蚀掉所述分割线形成的掩膜部分, 所述深硅ICP刻蚀为BOSCH刻蚀工艺。