| 发明名称 | 不含ITO的QLED及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明适用于量子点发光二极管领域，提供了一种不含ITO的QLED及其制备方法。所述不含ITO的QLED包括依次层叠设置的衬底载体、阴极层、第一非共轭聚电解质层、电子注入层、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层和阳极层，其中，所述阳极层的材料为PEDOT:PSS(PH1000)。所述不含ITO的QLED的制备方法为，在衬底载体上依次制备阴极层、第一非共轭聚电解质层、电子注入层、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层和阳极层。 | ||
| 申请公布号 | CN105140411A | 申请公布日期 | 2015.12.09 |
| 申请号 | CN201510504327.7 | 申请日期 | 2015.08.17 |
| 申请人 | TCL集团股份有限公司 | 发明人 | 肖标;付东;谢相伟 |
| 分类号 | H01L51/50(2006.01)I;H01L51/52(2006.01)I;H01L51/54(2006.01)I;H01L51/56(2006.01)I | 主分类号 | H01L51/50(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人 | 张全文 |
| 主权项 | 一种不含ITO的QLED，其特征在于，包括依次层叠设置的衬底载体、阴极层、第一非共轭聚电解质层、电子注入层、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层和阳极层，其中，所述阳极层的材料为PEDOT:PSS(PH1000)。 | ||
| 地址 | 516006 广东省惠州市仲恺高新技术开发区十九号小区 | ||