| 发明名称 | 蚀刻液、补充液及线路形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及可抑制铜线路图案的侧蚀的铜的蚀刻液、其补充液及线路形成方法。铜的蚀刻液包括包含铜离子、卤化物离子及非离子性界面活性剂的酸性水溶液，所述非离子性界面活性剂的浊点为15～55℃。根据本发明的线路形成方法，通过将所述蚀刻液依序接触铜层(3)及金属氧化物层(2)，可形成包含经图案化的金属氧化物层(9)及铜线路图案(7)的叠层线路图案(10)。 | ||
| 申请公布号 | CN105143515A | 申请公布日期 | 2015.12.09 |
| 申请号 | CN201480021975.0 | 申请日期 | 2014.02.19 |
| 申请人 | MEC股份有限公司 | 发明人 | 福井优;齐藤知志;石田辉和 |
| 分类号 | C23F1/18(2006.01)I;H05K3/06(2006.01)I | 主分类号 | C23F1/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人 | 周善来;李雪春 |
| 主权项 | 一种蚀刻液，为铜的蚀刻液，其特征在于，包括包含铜离子、卤化物离子及非离子性界面活性剂的酸性水溶液，所述非离子性界面活性剂的浊点为15～55℃。 | ||
| 地址 | 日本国兵库县 | ||