| 发明名称 | CMOS及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种CMOS，包括：第一MOSFET；第二MOSFET，与第一MOSFET类型不同；第一应力衬层，覆盖了第一MOSFET，具有第一应力；第二应力衬层，覆盖了第二MOSFET，具有与第一应力类型不同的第二应力；其中，第二应力衬层与第一应力衬层材质不同，一个包括DLC，另一个包括氮化硅。依照本发明的高应力CMOS及其制造方法，采用CMOS兼容工艺分别在PMOS和NMOS上选择性形成不同的应力层，有效提升了沟道区载流子迁移率，提高了器件性能。 | ||
| 申请公布号 | CN103367364B | 申请公布日期 | 2015.12.09 |
| 申请号 | CN201210083460.6 | 申请日期 | 2012.03.27 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 殷华湘;马小龙;徐秋霞;陈大鹏 |
| 分类号 | H01L27/092(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/092(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人 | 陈红 |
| 主权项 | 一种CMOS，包括：第一MOSFET；第二MOSFET，与第一MOSFET类型不同；第一应力衬层，覆盖了第一MOSFET，具有第一应力；第二应力衬层，覆盖了第二MOSFET，具有与第一应力类型不同的第二应力；其中，第二应力衬层与第一应力衬层材质不同，第二应力衬层和第一应力衬层中一个包括磁控溅射或PECVD工艺制备的DLC，DLC薄膜颗粒少、保形性良好。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3# | ||