发明名称 金刚石保护层结构的柔性衬底薄膜太阳能电池及制备方法
摘要 本发明涉及金刚石保护层结构的柔性衬底的薄膜太阳能电池制备方法,聚酰亚胺柔性衬底上依沉积金刚石绝缘保护薄膜、ITO透明导电薄膜、P型In<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N量子阱本征晶体薄膜、I型In<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N量子阱本征晶体薄膜、N型In<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N量子阱本征晶体薄膜、ITO透明导电薄膜以及金属Ag电极,此柔性太阳能电池最大的特点是重量轻、携带方便、不易粉碎,其重量比功率和体积比功率较其它种类的电池高几个数量级。具有很好的柔性,改变了I层材料和结构,引入具有带隙可调的In<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N量子阱本征晶体薄膜作为I层,In<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N材料具有稳定好,耐腐蚀且具有隧穿势垒以及低的光损系数,提高了电池的转化效率。采用金刚石作为保护绝缘层,抗腐蚀性进一步增强了,大大延长了薄膜太阳能电池的使用寿命。
申请公布号 CN105140339A 申请公布日期 2015.12.09
申请号 CN201510475317.5 申请日期 2015.08.05
申请人 辽宁恒华航海电力设备工程有限公司 发明人 陈志强;马明一;黄超;黄力;李嵩;殷绍睿
分类号 H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0304(2006.01)I 主分类号 H01L31/18(2006.01)I
代理机构 沈阳维特专利商标事务所(普通合伙) 21229 代理人 屈芳
主权项 一种金刚石保护层结构的柔性衬底薄膜太阳能电池制备方法,其特征在于,在聚酰亚胺柔性衬底上依沉积金刚石绝缘保护薄膜、ITO透明导电薄膜、P型In<sub>x</sub>Ga<sub>1‑x</sub>N量子阱本征晶体薄膜、I型In<sub>x</sub>Ga<sub>1‑x</sub>N量子阱本征晶体薄膜、N型In<sub>x</sub>Ga<sub>1‑x</sub>N量子阱本征晶体薄膜、ITO透明导电薄膜以及金属Ag电极,其中In<sub>x</sub>Ga<sub>1‑x</sub>N中x的取值为0~1。
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