发明名称 |
一种纳秒延时多脉冲发光的半导体激光器驱动电路 |
摘要 |
本实用新型公开了一种纳秒延时多脉冲发光的半导体激光器驱动电路,属于半导体激光器技术领域。其组成部分包括:可编程延时脉冲控制单元、多路场效应管驱动单元和多路可调的高压电源、一个激光二极管、多个场效应管、多个储能电容组成的多路充放电回路。本实用新型克服了电容充电时间长对脉冲激光器发光频率限制,一个激光二极管就实现了纳秒延时多脉冲发光,提高了脉冲激光器的发光频率。本实用新型应用于激光脉冲测距系统,纳秒延时多脉冲测距数据经过算法处理后解决了激光在单脉冲测距方式下单次测量精度不高的问题,有效的提高了脉冲激光器对目标的测距精度,具有成本低、集成化程度高的优点。 |
申请公布号 |
CN204858269U |
申请公布日期 |
2015.12.09 |
申请号 |
CN201520561358.1 |
申请日期 |
2015.07.29 |
申请人 |
武汉万集信息技术有限公司 |
发明人 |
徐威;刘一郎;武宏伟;胡攀攀;潘奇 |
分类号 |
H01S5/042(2006.01)I |
主分类号 |
H01S5/042(2006.01)I |
代理机构 |
|
代理人 |
|
主权项 |
一种纳秒延时多脉冲发光的半导体激光器驱动电路,其特征在于,包括可编程延时脉冲控制单元、多路场效应管驱动单元和多路充放电回路,所述多路充放电回路中的每一路充电回路由可调高压电源N、限流电阻R<sub>N</sub>、二极管D<sub>N</sub>、储能电容C<sub>N</sub>、二极管D<sub>A</sub>、D<sub>B</sub>组成;所述多路充放电回路共用二极管D<sub>A</sub>、D<sub>B</sub>;所述多路充放电回路中的每一路放电回路由场效应管Q<sub>N</sub>、储能电容C<sub>N</sub>、激光二极管D<sub>L</sub>组成,其中场效应管Q<sub>N</sub>漏级与储能电容C<sub>N</sub>相连,Q<sub>N</sub>源级接地,储能电容C<sub>N</sub>的另外一端都连接激光二极管D<sub>L</sub>的阴极,D<sub>L</sub>阳极接地;所述多路放电回路共用一个激光二极管D<sub>L</sub>;所述可编程延时脉冲控制单元产生的多路延时脉冲信号,通过所述多路场效应管驱动单元为所述多路充放电回路提供精确可控的延时驱动信号,用于控制所述多路充放电回路中的多个场效应管的导通和关闭的时序。 |
地址 |
430070 湖北省武汉市东湖新技术开发区光谷金融港B5座6楼 |