发明名称 基于DFB激光器的光学晶体电场传感器
摘要 本发明涉及传感器领域,具体涉及一种基于DFB激光器的光学晶体电场传感器,按照光线输出输入顺序依次包括DFB激光器(2),1/4λ玻片(3),Pockels晶体(4),检偏器(5),电探测器(6)和光电前置放大器(7)。本发明的作用是DFB激光器光功率高,极大降低成本和降低制作难度,偏振模式噪声会大幅度降低,无须光纤耦合,避免了由轻微抖动引起的功率噪声和偏振模式噪声,由于使用相对噪声强度极低的DFB激光器作为光源,因此可探测的电场强度灵敏度非常高。
申请公布号 CN103308783B 申请公布日期 2015.12.09
申请号 CN201310195659.2 申请日期 2013.05.23
申请人 国家电网公司;四川电力科学研究院 发明人 陈洪波;白欢;张福州;方欣;段晓方
分类号 G01R29/12(2006.01)I 主分类号 G01R29/12(2006.01)I
代理机构 成都信博专利代理有限责任公司 51200 代理人 舒启龙
主权项 一种基于DFB激光器的光学晶体电场传感器,其特征在于:按照光线输出输入顺序依次包括‑DFB激光器(2):DFB激光器作为光源,其内装有自动功率控制和自动温度控制电路(1),具有两个方向相互垂直的偏振,并且两个偏振方向的偏振度差别在20dB以上;‑1/4λ玻片(3):1/4λ玻片的光轴方向与DFB激光器的光轴方向互成45°角;‑Pockels晶体(4):检测光的相位差反应出电场强度;‑检偏器(5):检偏器输出光线方向与DFB激光器发射光线方向相互垂直;‑光电探测器(6):将光信号转换成电信号;‑光电前置放大器(7):对电信号进行放大以获得适当幅度的电信号;所述DFB激光器(2)内安装有准直透镜(9);DFB激光器(2)采用空间准直的方式输出,耦合距离在10cm以上,光斑直径大小低于1mm;检偏器(5)、1/4λ玻片(3)和Pockels晶体(4)相互之间距离不超过2mm,通光面抛光处理并且镀增透膜,反射率低于1%,入射光角度和通光面的法线方向成5°夹角。
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