一种碳化硅陶瓷及其低温烧结方法

摘要

本发明涉及一种碳化硅陶瓷及其低温烧结方法，该碳化硅陶瓷是由重量份数为75-85份的碳化硅和15-25份的烧结助剂经混合、球磨、干燥、干压成型和液相烧结而成，烧结助剂由14.5-23份的单质铝、0.2-1份的碳化硼和0.3-1份的碳组成。其低温烧结方法是先将碳化硅和烧结助剂放入球磨桶中，加入去离子水、聚乙烯醇水溶液、水溶性树脂进行球磨，然后烘干、筛选后加入钢模中压制成型，最后在温度为1800-1900℃下液相烧结得到最终产品碳化硅陶瓷。本发明在碳化硅中加入了由单质铝、碳化硼和碳合理配伍而成烧结助剂，降低了烧结温度，且能得到高致密化碳化硅陶瓷。

主权项

一种碳化硅陶瓷的低温烧结方法，其特征在于，所述碳化硅陶瓷是由重量份数为75‑85份的碳化硅和15‑25份的烧结助剂经混合、球磨、干燥、干压成型和液相烧结而成；其中，所述烧结助剂由14.5‑23份的单质铝、0.2‑1份的碳化硼和0.3‑1份的碳组成；该碳化硅陶瓷的低温烧结方法包括以下步骤：S1、将碳化硅和烧结助剂按比例称取并放入球磨桶中，加入80％‑140％的去离子水、6‑15％的聚乙烯醇水溶液、1‑6％的水溶性树脂，球磨1‑4小时；S2、用蒸汽干燥箱将上述球磨好的粉料烘干，烘干后粉料用50‑60目筛筛选1‑3次后加入到钢模中，加压到150‑250MPa压制成型，压制时间为1‑10s；S3、将上述得到的碳化硅陶瓷坯件通过液相烧结得到最终产品碳化硅陶瓷；其中，碳化硅陶瓷坯件在烧结过程中，加热到590‑610℃时需保温1‑5h，并抽真空至炉内处于无压状态，继续加热到640‑650℃后，需关闭真空泵，最后加热到液相烧结温度为1800‑1900℃下保温1‑4h。