| 发明名称 | 一种高精度测量晶片纵向对准误差的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种高精度测量晶片纵向对准误差的方法，涉及半导体器件与电路的制作方法技术领域。包括以下步骤：1）在光刻版上纵向加工一排中心对齐的刻度线阵列作为光刻版测量标尺；2）在晶片上纵向加工一排中心对齐的刻度线阵列作为晶片测量标尺；3）通过移动晶片，调整晶片与光刻板的相对位置，使晶片测量标尺与光刻版测量标尺在视野中重叠或平行；4）通过计算读取晶片纵向误差。本发明通过对光刻版和晶片设置的测量标尺，高精度的读取了晶片相对于光刻版的偏差，误差精度取决于<i>l</i><sub>1</sub>与<i>l</i><sub>2</sub>的差值，其<i>l</i><sub>1</sub>和<i>l</i><sub>2</sub>相差不大于0.1<img file="dest_path_image001.GIF" wi="32" he="26" />，故实现对晶片纵向误差高精度的读取。 | ||
| 申请公布号 | CN105140149A | 申请公布日期 | 2015.12.09 |
| 申请号 | CN201510469864.2 | 申请日期 | 2015.08.04 |
| 申请人 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 发明人 | 宋旭波;冯志红;吕元杰;王元刚;顾国栋;谭鑫;徐鹏 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/66(2006.01)I |
| 代理机构 | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人 | 王荣君 |
| 主权项 | 一种高精度测量晶片纵向对准误差的方法，其特征在于：包括以下步骤：1）在光刻版上纵向加工一排中心对齐的刻度线阵列作为光刻版测量标尺；2）在晶片上纵向加工一排中心对齐的刻度线阵列作为晶片测量标尺；3）通过移动晶片，调整晶片与光刻板的相对位置，使晶片测量标尺与光刻版测量标尺在视野中重叠或平行；4）通过计算读取晶片纵向误差。 | ||
| 地址 | 050051 河北省石家庄市合作路113号 | ||