一种低温沉积氮化硅薄膜的方法

摘要

低温沉积氮化硅薄膜的方法，是一种能够在较低温度下制备氮化硅薄膜的方法。采用本方法制备的薄膜主要应用于OLED封装技术。本发明由射频系统提供稳定的射频，下电极通过热偶精确控制一个较低的温度，在基板上通过等离子体技术沉积出氮化硅薄膜，并在沉积结束后通过射频对薄膜表面进行后处理，以增加薄膜表面的致密度。本方法每次沉积过程中基板表面的温升较小，可以采用分层沉积形式，分层沉积不会影响薄膜性能。

主权项

一种低温沉积氮化硅薄膜的方法，该方法是在较低的基底温度下，由射频系统提供射频，并通过等离子体技术沉积出氮化硅薄膜，具体实现步骤如下：1)载物台控温：下电极通过热偶精确控制温度；2)装样：基板通过传片系统传入反应腔室；3)通气：从反应腔室内的上电极，即喷淋头，通入气体SiH42、NH3、N2；4)沉积：由射频系统提供射频，通过等离子体技术沉积薄膜；5)后处理：停止通入主反应源SiH4，利用射频对薄膜表面进行后处理；6)抽真空：工艺停止，反应腔室抽至真空。