| 摘要 |
반도체 기판을 평면에서 보았을 때 트렌치 게이트 전극이 굴곡되어 있는 IGBT 이고, 트렌치 게이트 전극의 굴곡부의 내측에 위치함과 함께 반도체 기판의 표면에 임하는 위치에 에미터 영역과 동일 도전형의 내측 반도체 영역이 형성되어 있다. 트렌치 게이트 전극이 굴곡되어 있기 때문에, 온시의 정공 밀도가 상승하여 전도도 변조 현상이 활발화되어 온 전압이 저하된다. 턴 오프시에는 내측 반도체 영역이 정공의 이동 경로에 영향을 미쳐, 정공이 보디 영역을 이동하는 거리가 단축된다. 턴 오프시에 정공이 보디 콘택트 영역으로 빠지기 쉽다. 온시의 전류 밀도를 높이는 것과 래치 업을 방지하는 것이 양립된다. |
