发明名称 |
包括超结晶体管的装置和方法 |
摘要 |
一种包括超结晶体管的装置和方法。本公开的方面涉及包括交替交错的第一半导体材料的至少两个区域和第二半导体材料的至少两个区域的装置、方法和系统。附加地,装置、方法和系统包括作为源极和漏极操作的第一电极和第二电极。装置、方法和系统还包括具有第一半导体材料上的多个部分的第一栅极和具有第二半导体材料上的多个部分的第二栅极,其对第一电极和第二电极之间的电流进行双向地控制。 |
申请公布号 |
CN105140272A |
申请公布日期 |
2015.12.09 |
申请号 |
CN201510312432.0 |
申请日期 |
2015.06.09 |
申请人 |
恩智浦有限公司 |
发明人 |
皮特·杰勒德·斯蒂内肯;安可·赫琳哈;拉杜·苏尔代亚努;鲁克·范戴克;亨德里克·约翰内斯·伯格维德 |
分类号 |
H01L29/423(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/423(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
王波波 |
主权项 |
一种装置,包括:衬底,具有第一端部和第二端部,第一端部与第二端部横向分离;第一半导体材料的至少两个区域和第二半导体材料的至少两个区域,在衬底上交替交错并且在第一端部和第二端部之间横向延伸,第一半导体材料具有第一掺杂类型,并且第二半导体材料具有与第一掺杂类型不同的第二掺杂类型;第一电极和第二电极,所述第一电极位于衬底上的第一端部处,所述第二电极位于衬底上的第二端部处,第一电极和第二电极中的每一个被配置和布置为作为源极和漏极进行操作;以及第一栅极和第二栅极,所述第一栅极在第一半导体材料和第二半导体材料中的每一个上具有多个部分,所述第二栅极在第一半导体材料和第二半导体材料中的每一个上具有多个部分,第一栅极和第二栅极被配置和布置为通过向第一栅极和第二栅极施加电压来双向地控制在第一半导体材料和第二半导体材料中在第一电极和第二电极之间的电流。 |
地址 |
荷兰艾恩德霍芬 |