发明名称 |
离子注入监测方法 |
摘要 |
本发明提供一种离子注入监测方法,该方法包括以热波测量晶圆表面从而获得热波值;以及根据预先确定的热波值与晶圆退火后电阻的关系,确定晶圆的电阻从而监测晶圆的离子注入。根据本发明所述方法,可以节约监测时间。 |
申请公布号 |
CN103094143B |
申请公布日期 |
2015.12.09 |
申请号 |
CN201110347322.X |
申请日期 |
2011.10.28 |
申请人 |
无锡华润上华科技有限公司 |
发明人 |
苏小鹏;龚榜华;郭楠 |
分类号 |
H01L21/66(2006.01)I;H01J37/244(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/66(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
杜娟娟;高为 |
主权项 |
一种离子注入监测方法,其特征在于,所述方法包括:以热波测量晶圆表面从而获得热波值;以及根据预先确定的热波值与晶圆退火后电阻的关系,确定晶圆的电阻从而监测晶圆的离子注入;其中,所述预先确定的热波值与晶圆退火后电阻的关系是通过以下步骤确定的:对晶圆进行退火处理并获得同一注入条件下分别对应于各偏差处的各电阻值,其中,所述偏差指的是退火温度不一致对退火所做的温度拉偏;对该晶圆进行热波处理,以获得所述同一注入条件下的对应所述各偏差处的各热波值;获得所述热波值与所述电阻值之间的关系。 |
地址 |
214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号 |