发明名称 半导体工艺监测方法和半导体工艺监测装置
摘要 本发明公开了一种半导体工艺监测方法和半导体工艺监测装置。该方法包括:通过数据采集系统收集半导体工艺过程的工艺数据;在设定时间内向所述数据采集系统发送备份监测请求数据;若查询出指定时间内未接收到所述数据采集系统返回的监测应答数据,则生成数据采集系统停止运行的提示信息,提示用户选择备份监测系统继续收集工艺数据。本发明中当查询出指定时间内未接收到数据采集系统返回的监测应答数据后生成提示数据采集系统的停止运行的提示信息,提示用户选择备份监测系统继续收集工艺数据,从而有效避免了工艺过程中的工艺数据未被采集的情况。
申请公布号 CN103187332B 申请公布日期 2015.12.09
申请号 CN201110453589.7 申请日期 2011.12.29
申请人 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 发明人 李娟娟
分类号 H01L21/66(2006.01)I;H01L21/67(2006.01)I 主分类号 H01L21/66(2006.01)I
代理机构 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人 彭瑞欣;张天舒
主权项 一种半导体工艺监测方法,其特征在于,包括下列步骤:通过数据采集系统收集半导体工艺过程的工艺数据;在设定时间内向所述数据采集系统发送备份监测请求数据;若查询出指定时间内未接收到所述数据采集系统返回的监测应答数据,则生成数据采集系统停止运行的提示信息,提示用户选择备份监测系统继续收集工艺数据。
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